由於3D IC具有提升效能、降低功率消耗及異質晶片整合的優點，因此非常受到重視。3D IC技術利用矽晶片穿孔(Through Silicon Via; TSV)技術作為電性連接，而將半導體線路做垂直方向連接是主要的技術核心。由於晶片堆疊時所產生的高發熱及微細結構所產生的可靠度問題已成為技術瓶頸，本文將介紹3D IC 熱傳及熱應力問題及其設計技術發展。為降低晶片發熱問題，從晶片到封裝層級進行散熱設計是非常重要的，而透過應力模擬分析可以得到3D IC的應力分布趨勢並進一步提升元件可靠度。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 Nepcon Japan 2024展場回顧 高功率電子構裝用薄型化熱管理材料及元件技術 BN高充填之散熱材料，熱傳導率可望達60W/mK 先進封裝之互聯材料技術 系統級封裝(SiP)架構設計與製程翹曲模擬分析 熱門閱讀 玻璃基板上TGV的金屬化製程 全球第一個碳-14鑽石電池問世，可望供電數千年 玻璃成孔技術發展現況 半導體用光酸材料技術 玻璃通孔(TGV)之電鍍銅金屬化處理及其微結構改質 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司