結合III-V 族與Si 的半導體技術可將III-V 優異的物理特性與Si 晶圓製程技術融合在一起，可以延續摩耳定律的壽命及提高太陽電池的效率並降低其成本，同時也可降低光收發器的成本及實現在晶粒上的光互連。此技術的關鍵是在Si基板上成長III-V薄膜之磊晶技術，本文將討論此磊晶技術的困難處及克服方法，涵蓋反相域的抑制、熱脹係數與晶格不匹配所造成的EPD問題以及一些最近的技術進展。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 熱門閱讀 國際固態電路大會 ISSCC 2025：半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(... IEDM 2024前瞻：鐵電記憶體技術發展與半導體趨勢解析 由2025 NEPCON Japan看低碳樹脂材料與印刷電路板製程技術與應用 日本綜合化學品製造商聚焦EUV，展望半導體材料領域 原子層沉積之應用與未來發展趨勢 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 Hach台灣辦事處 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 高柏科技股份有限公司 正越企業有限公司 廣融貿易有限公司 照敏企業股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 志宸科技有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 工研院材化所 材料世界網 台灣永光化學股份有限公司