結合III-V 族與Si 的半導體技術可將III-V 優異的物理特性與Si 晶圓製程技術融合在一起,可以延續摩耳定律的壽命及提高太陽電池的效率並降低其成本,同時也可降低光收發器的成本及實現在晶粒上的光互連。此技術的關鍵是在Si基板上成長III-V薄膜之磊晶技術,本文將討論此磊晶技術的困難處及克服方法,涵蓋反相域的抑制、熱脹係數與晶格不匹配所造成的EPD問題以及一些最近的技術進展。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 熱門閱讀 日東紡開發廢太陽能板玻璃再生纖維,拓展再利用新途徑 先進電子構裝材料研究組於高頻、高導熱、封裝與高解析電子材料技術... 《工業材料雜誌》1月刊 四十周年特刊,集結14項領域技術共同展現材料... 從低碳循環到高值化創新應用與實踐–高分子材料產業的永續轉型推手 工業材料雜誌 40周年特刊 材料驅動產業升級,創新引領永續未來 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 Hach台灣辦事處 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 高柏科技股份有限公司 正越企業有限公司 廣融貿易有限公司 照敏企業股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 志宸科技有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 工研院材化所 材料世界網 台灣永光化學股份有限公司