電子與光電科技之結合-成長在Si 基板上的III-V 磊晶技術(下)

 

刊登日期:2009/7/5
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結合III-V 族與Si 的半導體技術可將III-V 優異的物理特性與Si 晶圓製程技術融合在一起,可以延續摩耳定律的壽命及提高太陽電池的效率並降低其成本,同時也可降低光收發器的成本及實現在晶粒上的光互連。此技術的關鍵是在Si基板上成長III-V薄膜之磊晶技術,本文將討論此磊晶技術的困難處及克服方法,涵蓋反相域的抑制、熱脹係數與晶格不匹配所造成的EPD問題以及一些最近的技術進展。


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