銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池-非真空製程技術發展簡介

 

刊登日期:2008/12/1
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薄膜太陽能電池有許多不同的類型,如非晶矽(a-Si)、砷化鎵(GaAs)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎘(CdS)、銅銦鎵硒(CIGS)化合物以及多接面型式的薄膜太陽能電池,其中最具發展潛力之一的銅銦鎵硒化合物所製備的薄膜太陽能電池,因擁有高光吸收率及為直接能隙半導體等優點,估計未來量產的半導體成本大約為0.03美元/瓦,所以,銅銦鎵硒薄膜太陽能電池變成美日德等各國廠商的新寵兒,研發出如共蒸鍍(Co-evaporation)、濺鍍(Sputtering)等真空製程,以及塗佈製程(Coating Process)、電鍍(Electrodeposition)等非真空製程。採用非真空製程其最終目的就是為了得到高效率、大面積、低耗能、低成本與可撓性的薄膜太陽能電池。


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