在目前製作低溫多晶矽薄膜電晶體元件當中，多晶矽薄膜的製作技術以準分子雷射退火最為廣泛的使用。準分子雷射退火所形成多晶矽薄膜，應用在薄膜電晶體液晶顯示器上具有非常優越之性能；但是應用在主動式矩陣有機發光顯示器上，則會因準分子雷射退火每一發掃瞄功率的不穩定，其所形成的多晶矽晶薄膜結晶晶粒尺寸大小不均勻與晶粒邊界數量不一致等問題，使電晶體元件在電性上產生不穩定與不均勻，進而造成畫面顯示異常與不均勻。而利用高溫快速熱退火方式所生成多晶矽薄膜，其結晶晶粒尺寸較準分子雷射退火方式來得均勻，且同時具有接近的結晶晶粒尺寸，快速高溫熱退火方式所生成多晶矽薄膜應用在AM-OLED TFT-Array背板上，具有優越的電氣特性與均勻性的表現，所以顯示器可以達到完全沒有顯示畫面不均勻的現象發生。本文實驗中，利用電漿輔助化學沉積(PECVD)方式沉積1600Å厚度之非晶矽薄膜，再以溫度710°C/10min對非晶矽薄膜作快速加溫熱退火後冷卻轉化成多晶矽薄膜，在拉曼光譜儀中，測得多晶矽薄膜譜峰落在520cm-1 位置、結晶度89.0% 、半高寬(FWHM) 6.1 。