日本富士軟片(FUJIFILM)開發出全球首款不使用含氟原料的負型ArF（氟化氬）液浸式光阻材料。此產品在完全無氟條件下，仍具有優異的酸反應效率，以及在ArF液浸曝光製程中可有效降低殘留水滴的高疏水性，兼具微影性能與製程穩定性。由於無須與含氟廢液分流處理，也可降低廢液處理所需能源消耗。此技術相較於既有PFAS-Free更進一步，可望因應半導體產業日益升高的環境友善需求。
目前富士軟片已啟動樣品驗證作業，並以早期商業化為目標。該公司近年積極因應PFAS監管趨勢，已於2024年推出PFAS-Free奈米壓印光阻，並於2025年開發PFAS-Free負型ArF液浸光阻。近年產業焦點已從限制PFAS，進一步擴大至避免使用所有在自然環境中難以分解、具碳氟鍵結的有機含氟化合物，因此富士軟片此次完成全面無氟化的負型ArF液浸光阻開發。
新產品結合富士軟片在銀鹽攝影領域累積的機能性分子設計技術，以及在半導體光阻材料開發中建立的分子設計、有機合成、配方設計、材料解析等能力。一般而言，先進光阻配方多仰賴含氟原料以取得必要性能，但富士軟片透過多項核心技術整合，在不使用含氟原料的情況下，仍成功形成高精細電路圖形。
在半導體製造現場，含氟廢液通常須與其他廢液分開管理，且因須高溫處理，導致能源消耗較高。若導入無氟光阻材料，將可望提升廢液管理效率，並降低廢液處理能耗與環境負擔。今後富士軟片將以此無氟技術進一步擴展至極紫外光(EUV)等先進微影光阻產品線，推動整體半導體材料事業朝全面去氟化發展。