由於矽鍺(SiGe) 材料與矽鍺電雙極電晶體(SiGe HBTs) 技術已經成熟且進入生產階段，因此在無線通訊及光纖通訊、高速寬頻網路應用上，矽鍺半導體積體電路已經是市場上一種重要的解決方案。在無線高速寬頻網路應用方面，SiGe HBT 能在高頻操作下，提供優異微波特性，其效能不僅超越矽(Si)元件技術，更挑戰著目前執牛耳地位的III-V族化合物半導體元件。在光纖通訊方面，SiGe已成功佔有OC-192 (10Gbps)之市場，更進而展現使用在OC-768(40Gbps)市場之可行性，此外SiGe IC可整合不同功能電路於同一晶片上形成系統晶片(System-on-a-chip, SoC) 。在SoC的趨勢下，整合將是無線寬頻網路未來主要的發展方向。因此就製造成本及系統整合性而言，矽鍺元件說是高速寬頻網路半導體元件之必然趨勢一點也不為過。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 矽鍺異質接面雙極性電晶體之製程技術發展 矽鍺電晶體 我國IC 產業發展概況與策略（一） 我國IC 產業發展概況與策略（三） 我國IC 產業發展概況與策略（二） 熱門閱讀 從 Battery Japan 2024看鋰電池與儲能產業發展 半導體產業廢硫酸純化再利用 化合物半導體材料市場與應用導論 碳化矽晶體成長技術發展 探索來自天際的能源，夢想中的太空太陽能發電 相關廠商 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司