高速寬頻網路半導體元件—矽鍺元件及其製程介紹

 

刊登日期:2003/11/20
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由於矽鍺(SiGe) 材料與矽鍺電雙極電晶體(SiGe HBTs) 技術已經成熟且進入生產階段,因此在無線通訊及光纖通訊、高速寬頻網路應用上,矽鍺半導體積體電路已經是市場上一種重要的解決方案。在無線高速寬頻網路應用方面,SiGe HBT 能在高頻操作下,提供優異微波特性,其效能不僅超越矽(Si)元件技術,更挑戰著目前執牛耳地位的III-V族化合物半導體元件。在光纖通訊方面,SiGe已成功佔有OC-192 (10Gbps)之市場,更進而展現使用在OC-768(40Gbps)市場之可行性,此外SiGe IC可整合不同功能電路於同一晶片上形成系統晶片(System-on-a-chip, SoC) 。在SoC的趨勢下,整合將是無線寬頻網路未來主要的發展方向。因此就製造成本及系統整合性而言,矽鍺元件說是高速寬頻網路半導體元件之必然趨勢一點也不為過。
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