日本電氣硝子(Nippon Electric Glass)發表了一項有關於次世代記憶體用玻璃薄膜之最新研發成果。該公司與東北大學合作，正在開發適用於次世代記憶體切換元件層的獨創玻璃材料，且以此製成的玻璃薄膜在切換元件層中展現出優異的特性。
從高容量化的角度而言，次世代記憶體的結構通常是由奈米級薄膜狀的記憶元件層與切換元件層所組成的記憶體單元，再以3次元格子狀方式排列。切換元件層能防止電流流向錯誤路徑，確保僅有必要的單元被驅動，為穩定運作的關鍵。如果缺少切換元件層，電流將偏離正確路徑，導致誤動作並降低性能。
此項次世代記憶體切換元件層用玻璃薄膜具備多項優異性能。其一是高選擇性，能在「開」與「關」之間保持巨大的電阻差，有效阻斷不必要的電流，確保大容量記憶體的穩定運行；其二是有助於降低耗電，能在低電壓下實現切換動作，進一步推動記憶體裝置的省能化。此外，新材料已去除既有材料中的砷元素，實現了注重人體安全、環境友善的材料設計。