美國的賓州大學的研發團隊開發出可承受600℃高溫的記憶體元件。與市售的磁碟(Disk Driver)相比耐熱溫度相當於2倍以上，且耐熱性可維持60小時以上，展現出優異的穩定性與可靠性。
有別於一般在約200℃就會開始故障的既有矽基記憶體元件，新開發的元件採用了以強介電性氮化鋁鈧(AlScN)為基材的設計，無需一般搭載記憶體元件之家電產品所需要的主動電源，即使是顯著高溫下仍可維持儲存資訊。
研發人員在鎳與白金的電極中置入僅45 nm的超薄AlScN層，製作出金屬-絕緣體-金屬構造的元件。由於高溫時粒子的行動變得不穩定，AlScN層的厚度便顯得重要，若厚度太薄，材料會因為擴散而劣化，過厚則無法充分發揮強介電體的開關機能，因此已予以最佳化。
新開發的記憶體元件與高溫下可運作的SiC邏輯元件具相容性，因此可與極限溫度用高機能運算系統搭配應用。賓州大學表示，從宇宙探險到地底挖掘，當其他電子產品與記憶體元件因惡劣環境呈現不穩定時，新開發的耐高溫記憶體元件仍可維持高度運算機能。此項成果不僅是元件本身的改良，亦將可望進一步拓展新科技領域。