半金屬的熱電性能提高4倍,可望實現與半導體匹敵之熱電材料

 

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日本東北大學組成的研究團隊透過精確控制p型半金屬錳釩鋁合金(Mn2VAl)中出現的反位缺陷(Antisite Defect)數量,並以矽(Si)部分取代了鋁(Al),成功將p型的熱電性能提高了約4倍。新材料可望應用於能量採集(Energy Harvesting)技術領域。

研究團隊利用球磨機將錳(Mn)、釩(V)、鋁(Al)等原料製成微細粉末,且利用放電電漿燒結合成了Mn2VAl,製作出緻密的圓盤狀樣品,並以高溫進行加熱。而當改變了球磨機的旋轉時間、放電電漿燒結的保持時間、高溫加熱時間等各項過程之際,證實了各工序時間越長,反位缺陷亦隨之增加。透過調整時間,進而成功地將反位缺陷數量控制在13~50%的範圍內。

此外,研究團隊在Mn2VAl反位缺陷數量為33%的製造條件下,製作了以Si部分取代Al的Mn2V(Al1-xSix)。經過熱電性能調查,可知藉由反位缺陷數量與Si取代量的最佳化,進而將性能提高了約4倍,且為p型半金屬中的最高數值。

新開發的p型半金屬熱電性能接近n型的6分之1,故可望應用於熱電材料用途。研究團隊表示,若能進一步提升p型的性能,將能促進利用半金屬之能量採集的實用化。


資料來源: https://www.tohoku.ac.jp/japanese/newimg/pressimg/tohokuuniv_press0104_01web_metallic.pdf
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