大阪府立大學與近畿大學工業高等專門學校(KUTC)、高輝度光科學研究中心(JASRI)透過精密控制碲化鍺(GeTe)的電子構造，成功地將室溫附近的熱電轉換效率最高增加至現有材料的2倍。
室溫附近的排熱存在量雖多，但大多是小規模且稀薄的狀態分散各處，因此難以利用熱電發電以外的技術予以回收，而適用於回收的室溫熱電材料在開發上則未有進展。
此次研究團隊將既有在250～600℃呈現高性能之熱電材料GeTe的熱電轉換功率因數，成功地增大至室温～150℃。研究團隊透過大型放射光設施「SPring 8」的粉末結晶構造解析光束「BL02B2」進行結晶構造分析後，確認除了既有已知的價帶(Valence Band)之外，另有新價帶形成，進而促使熱電性能的提升。此外，一般固溶體化的測試樣本難以進行正確的電子構造計算，研究團隊透過改良計算碼，進而實現電子構造的精密控制。
研究團隊將此次開發的GeTe固溶體化測試樣本與以同樣製程製作的既有材料Bi2Te3進行室温～150℃溫度範圍的熱電轉換功率因數比較後，確認GeTe固溶體化樣本的熱電轉換功率因素最大可提高到2倍。此外，若能如同Bi2Te3般，將奈米粒子微細組織予以最佳化的話，將可望進一步提升熱電性能。
藉由此次室溫材料開發、控制方法解析等研究成果，將可望有助於將室溫廢熱有效率轉換為電力的技術開發。此外，相較於既有材料使用的鉍(Bi)，研究中使用的鍺(Ge)在資源量上多出約30倍，因此可望做為替代材料進行應用。