日本東京理科大學與物質材料研究機構(NIMS)共同合作，利用鋰離子之氧化還原反應，開發出具有做為物理儲存系統之優異性能的全固態氧化還原電晶體。
做為一項可望減少運算成本與能耗的技術，目前物理儲存計算(Physical Reservoir Computing)備受矚目。物理儲存是一種透過輸入時間序列可轉換為時空模式的裝置，須具備非線性、高次元性及短期記憶等性質，過去已進行了各式各樣的材料與設備之開發，但在性能方面仍有改善的空間。
此次研究團隊開發了一項在鋰離子導電玻璃陶瓷(LICGC)基板上堆疊鎢酸鋰(LixWO3)薄膜之全固態氧化還原型電晶體。若在電晶體施加閘極電壓，將能獲得汲極電流與閘極電流之非線性反應，實現雙重儲存狀態，具有比單一儲存系統更高的次元性，因此可望提升運算處理能力。
在二階非線性動力學方程式或非線性自回歸平均移動等處理過程中，證實了其具備比過去更加優異的性能，且在高次元性、記憶容量方面均有所提升。將新開發的元件應用於物理儲存設備，將可模擬如腦神經回路的非線性電流型態，實現以高速、低能耗執行機器學習的「神經形態運算(Neuromorphic Computing)」。今後透過應用此技術，將可望提高各種電子設備的訊息處理能力，並實現節能效益。