氮化鋁銦鎵深紫外光發光二極體製作技術

 

刊登日期:2006/1/5
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本文中氮化鋁銦鎵深紫外光發光二極體結構係利用金屬有機化學沉積式成長機台(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 所形成。首先,將探討量子井中氮化鋁銦鎵載子位障層對光激發強度的影響,並經由TMAl與TMIn調整以改變位障層對量子井應力的變化,我們發現其成長具應力之位障層可使量子井光激光強度最佳;另外,為提升深紫外光內部量子效率故在核化層與緩衝層成長氮化鋁鎵材料,其X 光繞射分析薄膜半高寬可達490 arcsec,在元件電激發光光譜上也明顯改善其光吸收效應。而在元件製作上,透過氧化銦錫做為透明傳導電極的使用,相較於傳統鎳-金,其元件發光強度可增加約1.47 倍,且有效地改善深紫外光被反射回結構的量,以減少氮化鎵之光吸收而產生黃光激發光。


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