名古屋大學與濱松光子學公司(Hamamatsu Photonics)發明了一項利用雷射光在短時間內無損耗地切割GaN基板之技術。
GaN被視為高性能功率元件製造用次世代材料而備受關注。然而由於GaN結晶成長較為困難，晶體既硬且脆而難以加工，從GaN結晶中切出的GaN基板價格昂貴，因而成為利用於功率元件的主要障礙。而雷射切片技術可望取代以線鋸切割半導體基板的既有方法。一般在使用線鋸進行切片時，切割線穿過部分的晶體會變成碎片而無法使用。由於GaN的加工難度高，需要使用較粗的線材，也因此造成切割部分的材料損失相當於要切割的基板厚度。
此次開發的雷射切片技術利用了GaN受力後會沿一定的方向形成光滑面的解理(Cleavage)特性，因此原理上不會產生GaN結晶的浪費。此外，由於使用可穿過GaN基板的雷射進行加工，故可在不施加較大振動或應力的情況下對GaN晶體進行切片，且可在形成功率元件後的GaN基板上切出薄片而不會損壞元件。
透過此方法斷開後的元件將可正常運作，且藉由以雷射高度控制GaN結晶解理的方式，不僅可以應用於GaN基板的成形，並可望成為新型GaN結晶加工方法發展出各種應用，並可望實現高速切割，且同時可最大限度地減少GaN單晶的損失。雖然GaN結晶是昂貴、極其堅硬又易碎的材料，但研究團隊表示，高效率的基板成形將大大促進GaN基板的低價格化。