來自愛沃特的GaN on SiC/Si基板提案

 

刊登日期:2022/1/5
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3C-SiC的晶格常數接近GaN,因此可以在不發生裂紋的情況下生長高質量的GaN。此外,3C-SiC具有共價鍵合性,即使在元件過程中從邊緣出現裂紋,3C-SiC也會起到阻擋作用,因此,完全不會發生回熔蝕刻。另外,由3C-SiC實現的厚膜GaN結構結合低水平的炭摻雜,可同時實現高溫電流崩壞和高垂直耐受電壓。以及,從室溫到高溫都可穩定地實現良好的高頻特性。
 
來自愛沃特的GaN on SiC/Si基板提案
來自愛沃特的GaN on SiC/Si基板提案
愛沃特的GaN基板:GaN HEMT on SiC/Si (6吋)
 ● 3C-SiC可以實現GaN的高質量化
 ● GaN on Si難以實現的無裂紋的GaN增厚膜實現
GaN 功率器
 ● 可兼容由低水平碳摻雜導致的崩壞電流和垂直耐受電壓
 ● 作為600 V功率元件具有足夠的耐電壓性能
 ● 在150℃的高溫下元件可穩定動作
 ● SiC薄膜可以完全抑制回熔蝕刻
GaN高頻
 ● 使用泛用低電阻率Si基板可得到良好的高頻特性
 ● 實現高溫動作時的低損耗特性
SiC/Si基板:4、6、8吋
 ● 可根據客戶的需求客製化
 ● 購買SiC/Si基板時.可提供GaN成膜技術

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