3C-SiC的晶格常數接近GaN，因此可以在不發生裂紋的情況下生長高質量的GaN。此外，3C-SiC具有共價鍵合性，即使在元件過程中從邊緣出現裂紋，3C-SiC也會起到阻擋作用，因此，完全不會發生回熔蝕刻。另外，由3C-SiC實現的厚膜GaN結構結合低水平的炭摻雜，可同時實現高溫電流崩壞和高垂直耐受電壓。以及，從室溫到高溫都可穩定地實現良好的高頻特性。
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愛沃特的GaN基板：GaN HEMT on SiC/Si (６吋）
● 3C-SiC可以實現GaN的高質量化
● GaN on Si難以實現的無裂紋的GaN增厚膜實現
GaN 功率器
● 可兼容由低水平碳摻雜導致的崩壞電流和垂直耐受電壓
● 作為600 V功率元件具有足夠的耐電壓性能
● 在150℃的高溫下元件可穩定動作
● SiC薄膜可以完全抑制回熔蝕刻
GaN高頻
● 使用泛用低電阻率Si基板可得到良好的高頻特性
● 實現高溫動作時的低損耗特性
SiC/Si基板：4、6、8吋
● 可根據客戶的需求客製化
● 購買SiC/Si基板時.可提供GaN成膜技術
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