在太陽電池中III-V族化合物太陽電池的發電效率最高，且對放射線具有耐性，故被利用於人工衛星等用途。但既有成膜法的原料或基板，不僅高價且成膜速度慢，製造成本高是最大的問題。日本產業技術總合研究所(AIST)即與太陽日酸共同開發出可以製作鋁系(Al)材料高品質成膜之氫化物氣相磊晶法(HVPE)裝置，且對於頂層(Top Cell)磷化銦鎵(InGaP)的高性能化與基板成本等相關問題已有解決的對策方向。
研究團隊開發了在反應爐內部可以500℃低溫加熱鋁原料的裝置，形成石英反應爐與不易反應的氯化鋁（AlCl3），讓AlInGaP層、AlAs層的高品質成膜成為可能，實現了導入應用於太陽電池。
導入AlInGaP的磷化銦鎵太陽電池，因表面附近的電流損失受到抑制而提高了發電效率。此外，透過使用AlAs層，製作時必要的高價基板與太陽電池層能夠分離，基板將可望再利用，進而達到低成本化之目的。
此外，由於分離的電池層為薄膜，可適用於產總研持有的Smart Stack接合技術，因此與異種材料的接合能夠達到更進一步的高效率化與低成本化。
研究團隊指出，由於新開發的裝置在反應爐內部生成AlCl3，抑制了不純物質的吸收，故可得到高品質鋁系材料的成膜。而以HVPE法製造鋁系材料並利用於太陽電池，將可望促進高速、低成本之高效率太陽電池的開發。
目前研究團隊是使用2吋基板進行HVPE法的研究開發，今後將進一步展開6吋成膜之量產型HVPE裝置，期藉此將製造的III-V族化合物太陽電池與矽晶或CIGS等價格較低的太陽電池接合，進而實現發電效率35%以上、發電成本200日圓/W之太陽電池的開發。