日本東北大學發表在與ROHM公司的共同研究中，觀測到在「氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)」形成了量子點(Quantum Dot；QD)的狀況，同時研究團隊也透過精密的電氣傳導測定，在電晶體ON/OFF領域的界面觀測量子點具特徵性的電氣傳導，確認了因不純物導致之量子點形成過程的機制。
研究團隊在簡單的GaN/AlGaN FET構造，進行了低溫環境下的精密電氣傳導測量。結果顯示，在電晶體ON/OFF領域界面的傳導通道消失條件附近，成功地觀測到形成量子點時出現了特徵性的「Coulomb Diamond」電氣傳導特性。
在經過進一步解析後，則成功地確認到多重量子點的形成。此外，利用不同絕緣膜製作手法製成的樣本進行比較後，確認隨著不純物濃度的改變，量子點的形成也會有所變化。
利用此項研究成果，將可望活用GaN的電子物性與量子點特性，進而拓展量子元件的創新開發。此外，量子點特性將會是對影響電晶體傳導通道的不純物等具有靈敏反應的指標，並可望藉此進一步實現GaN FET的改良。