SiC結晶表面電流流動的數值化,可望促進SiC功率裝置的低價格化

 

刊登日期:2020/7/23
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名古屋工業大學於日前發表,在各種溫度或表面的狀態下,成功地對SiC結晶表面的電流流動予以數值化,藉此將可讓SiC功率裝置的設計更加容易,並可望促進相關裝置的低價格化。

研究團隊透過光照射對SiC的各種結晶表面製作了電子與電洞,且對表面的電子與電洞消失的速度進行量測。將速度與計算模型進行比較,並把表面的電流流動予以數值化。此外,相關數值也顯示出溫度相依性或對結晶內傳導型的相依性。

利用SiC製作大電力功率裝置時,必須讓電流在SiC結晶內部均一地流動。然而由於表面再結合的現象,造成電流流向SiC結晶的表面,因此形成功率裝置在構造設計上的問題。

利用此研究得到的表面再結合速度數值,應用在SiC大電力功率裝置的構造設計的話,將可讓構造設計變得更為簡單,藉此減少製造成本,降低SiC大電力功率裝置的銷售價格,未來可望進一步促進相關裝置的普及化。


資料來源: https://www.nitech.ac.jp/news/press/2020/8338.html
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