富士通與首都大學東京的研究團隊發表開發了一項可將手機基地台放射出來的微弱微波(Microwave)轉換成電力的「奈米線反向二極體(Nanowire Backward Diode)」，與既有的肖特基能障二極體(Schottky Barrier Diode)相比，能夠實現10倍以上的感度。
為了實現高感度，研究團隊開發了利用穿隧現象(Tunneling)作動的反向二極體。具體來說，係將接合的2種半導體材料的組成比例與添加的不純物濃度進行調整，在直徑150nm的奈米線內，進行了n型InAs與p型GaAsSb的結晶成長。
此外，研究團隊也新開發了在奈米線周圍填入絕緣材料的加工技術，以及在奈米線兩端形成電極膜的加工技術，藉此即可避免奈米線損壞的發生，進而實現超微米(Submicron)尺寸的二極體，開發出肖特基能障二極體10倍以上感度的奈米線反向二極體。
研究團隊也利用試作的奈米線反向二極體，以現行4G LTE／Wi-Fi所使用之2.4GHz的電波進行檢證，結果發現感度為700kV/W，大約是肖特基能障二極體(60kV/W)的11倍，且足以活用在感測器電源用途。