擁有與石墨烯不同半導體特性的過渡金屬二硫屬化物(Transition Metal Dichalcogenides；TMD)，在可撓式電晶體(Flexible Transistor)等次世代光電裝置上的應用備受期待。日本東北大學的研究團隊最近即開發出一項過渡金屬二硫屬化物的大規模積體化合成法。
由於成功地對一連串的結晶成長進行了即時觀察，將合成條件予以最佳化，在具實用性之公分大小的基板上，以35,000個以上的原子單層成功製作出單結晶的TMD薄片。
研究團隊開發了可在腐蝕性氣體的900℃狀態下，對TMD成長狀況進行觀察的合成法。原料(前驅物)從基板上配置的成長開始點(核發生點)選擇性地被捕捉，形成圓形的液體集積之後，確認會形成三角形的二硫化鎢(Tungsten Disulfide)單層結晶。與一般半導體材料或化合物半導體相比，前驅物的擴散距離提高100倍以上，達到750μm。在結晶成長結構明確化之後，研究團隊將合成條件予以最佳化，因此而得到了均一的高度積體單層單結晶TMD。