透明導電氧化物(Transparent Conducting Oxide; TCO)被使用於工業方面已超過50年。TCO 是一種寬能隙半導體（能隙大於可見光範圍），為可透光及可導電兩種特性混合的材料。其中最為知名的為In2O3再摻雜Sn形成ITO，及氧化鋅摻雜鋁、鎵、銦(Al、Ga、In)。ITO 及ZnO薄膜對可見光透光率可大於80%，同時摻雜後電阻係數可達10-4?cm等級，而被廣泛應用於光電產業，如液晶平面顯示器LCD、太陽能電池等。在提高透光率與導電性能上，我們亟需瞭解最基本的摻雜後之In2O3和ZnO晶體特性，由於其電子能帶結構很少被討論，因此我們使用密度泛函(Density Functional Theory)全始計算方法，來研究In2O3晶體摻雜Sn 和ZnO摻雜Al、Ga、In、Si、Ti後的能帶結構變化。結果顯示，摻雜前後之主要電子能帶結構仍維持不變，只有費米能階往傳導帶移動。這種費米能階的移動提供了導電性，同時也維持透光性的解釋。另外也比較ZnO 摻雜Al 、Ga 、In 和Si 後之晶體能量，以ZnO 摻雜Al 為最低，而摻雜一個Si 的效果等同於摻雜兩個Al 。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 金屬奈米團簇量子分子動力計算 量子化學計算 分子動力學計算 多尺度模擬技術 材料奈米檢測技術規畫與發展 熱門閱讀 下世代產業所需高功能性新材料—電動車用高分子材料 再生塑膠產業鏈發展現況及政策趨勢—廢塑膠回收材料 台灣優勢產業所需材料—半導體化學品 台灣石化產業未來轉型之策略方向 CO2 氫化生產甲醇新世代觸媒與程序 相關廠商 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司