透明導電氧化物(Transparent Conducting Oxide; TCO)被使用於工業方面已超過50年。TCO 是一種寬能隙半導體（能隙大於可見光範圍），為可透光及可導電兩種特性混合的材料。其中最為知名的為In2O3再摻雜Sn形成ITO，及氧化鋅摻雜鋁、鎵、銦(Al、Ga、In)。ITO 及ZnO薄膜對可見光透光率可大於80%，同時摻雜後電阻係數可達10-4?cm等級，而被廣泛應用於光電產業，如液晶平面顯示器LCD、太陽能電池等。在提高透光率與導電性能上，我們亟需瞭解最基本的摻雜後之In2O3和ZnO晶體特性，由於其電子能帶結構很少被討論，因此我們使用密度泛函(Density Functional Theory)全始計算方法，來研究In2O3晶體摻雜Sn 和ZnO摻雜Al、Ga、In、Si、Ti後的能帶結構變化。結果顯示，摻雜前後之主要電子能帶結構仍維持不變，只有費米能階往傳導帶移動。這種費米能階的移動提供了導電性，同時也維持透光性的解釋。另外也比較ZnO 摻雜Al 、Ga 、In 和Si 後之晶體能量，以ZnO 摻雜Al 為最低，而摻雜一個Si 的效果等同於摻雜兩個Al 。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 金屬奈米團簇量子分子動力計算 量子化學計算 分子動力學計算 多尺度模擬技術 材料奈米檢測技術規畫與發展 熱門閱讀 從ICSRSM 2023看碳化矽材料領域發展(上) 鋼鐵產業低碳製程技術發展趨勢 Ga2O3功率元件於電動車應用的發展(上) 高安全鋰電池材料與技術 聚焦二氧化碳再利用，推動脫化石資源依賴 相關廠商 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 友德國際股份有限公司 喬越實業股份有限公司 方全有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 誠企企業股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司