熱門專利組合—鋁質電容專利組合

 

刊登日期:2019/8/5
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■ 去耦合元件技術
電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點,可用於中央處理器(Central Processing Unit; CPU)的電源電路的去耦合(Decoupling)作用上。由於去耦合元件之陽極與陰極在製作時的厚度差異大,多層共焊陽極部有時會因為熱應力問題,導致陽極斷裂使有效電容下降,如果焊點面積小,焊點容易氧化而絕緣化,造成有效連接數減少,導致有效電容量下降。本專利組合提供多種去耦合元件的結構及製法,可提升去耦合元件的製程良率,解決電容量下降的問題。
專利組合技術特色
① 具有保護層之去耦合元件,此保護層塗佈在電容單元的陽極部與陰極部至少其中之一,防止高溫高濕條件下陽極焊點的氧化問題,且防止水氣滲透進入電容單元的導電高分子層及介電層之間所造成的假性電容量現象。
② 具有立體結構之導線架之去耦合元件採用,利用電容單元陰陽極之截面與導線架之陰陽極端之側板進行電性連接,除了用以提高製程良率,並可減少電路傳輸路徑、可降低等效串聯電阻(ESR)及增快電子傳遞速率。
③ 高介電性有機/無機混成材料層整合在電容器架構,能製作體積小、結構簡單且兼具穩壓與高頻濾波之電子特性的去耦合元件。根據不同的設計需求,可在上述的去耦合元件中堆疊多層電容單元。
應用領域
過濾高頻雜訊電容、中央處理器

■ 內埋式電容技術
為因應電子產品的多功能需求,將不同功能的IC以三維堆疊型態封裝成一多功能IC模組,是系統級封裝(System in Package; SiP)的技術趨勢。當不同IC做三維堆疊整合時,產生IC接腳不配合的問題。隨著堆疊層數的提高,以SMD電容布局於電路板上並不足以達到穩定多層晶片堆疊下的穩壓需求。本專利組合提供多種內埋式電容器結構設計,可以節省電路板面積,同時解決多個IC造成瞬間大電流的問題,有效穩定整個元件之電壓與電流。
專利組合技術特色
① 大電容之複合型電容,並聯具多孔結構之正極層的貫通孔電容與平行板電容。藉由具多孔結構之正極層的貫通孔電容與平行板電容之配合,設計出複合型電容,能在一個晶片中提供大於0.1 μF的電容量,提供晶片間的穩壓,同時去除1~4 GHz的高頻干擾。
② 貫通孔電容器適用於IC堆疊層數多的三維封裝結構,由貫通孔提供不同層間的IC訊號傳遞,同時有貫通孔電容來提供多層IC的穩壓需求,因設計於多層IC的堆疊結構內,相較傳統布局於電路板上的獨立SMD電容,有較佳的穩壓功效。
應用領域
內埋式電容、被動元件

專利洽詢:材料與化工研究所智權加值推廣室
趙弘儒 電話:03-5913737 、E-mail: kevin_chao@itri.org.tw
康靜怡 電話:03-5916928 、E-mail: kang@itri.org.tw


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