日本產業技術總合研究所(AIST)開發了一項利用奈米碳管(CNT)簡單製作高導電膜的技術，透過塗佈使用了聚丙烯酸的CNT分散液，就可省去提高導電率的摻雜製程(Doping)，以及分散劑除去製程。製作所得膜的導電率最大2萬S/cm，可與金屬粒子相匹敵，而時間上也比既有方法縮短至3分之1。
產總研將高分子酸製作成捲成螺旋狀的複合構造，僅以微量的高分子酸開發了可將CNT均一分散、摻雜在內的分散液。此次開發的摻雜方法為高分子酸的羧基(Carboxyl Group)從CNT取出電子的電荷移動型。
後處理方面，僅須將塗佈膜進行乾燥，就能在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等泛用樹脂的基材上成膜。此外，透明性在波長550 nm的透過率為85%，與既有方法製作的膜相比，擁有同等級的透過率數值。