可大幅降低成本之量子點薄片製造技術

 

刊登日期:2018/4/24
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日本NS Materials公司開發了一項可實現大幅低成本化之量子點(Quantum Dot)薄片製造技術。一般量子點會利用以硫化鉛(PbS)為原料製成之保護殼層來避免受到熱能的影響,但量子點用於顯示器時則必須利用隔絕膜(Barrier Film)兩面包覆以做進一步的保護,而NS Materials則透過量子點核/殼(Core-Shell)結構的最適化調整,成功地提高了耐熱性與可靠性,進而開發出不需隔絕膜之量子點量產技術,且計畫與日本國內的塗工業者共同展開量產事業。

目前在美國或中國大多採用以麻省理工學院之技術為中心所開發的量子點,但NS Materials開發的量子點的耐熱性更加優異,且與中國企業生產的量子點薄片相比,大幅降低了製造成本,且NS Materials計畫未來與台灣的塗工業者合作生產量子點薄片。

此外,NS Materials在降低量子點薄片中含鎘(Cadmium)濃度之技術開發方面也有所進展。一般為了符合歐盟危害物質限用指令(RoHS)中的禁用限值設定,大多會將鎘與磷化銦(Indium Phosphide)進行複合化,但磷化銦使用量的多寡,也促使量子點薄片的特性或機能性隨之降低。NS Materials則是透過量子點分散配置技術的改良,在維持量子點薄片機能的狀態下,成功地減少了量子點的量,將濃度降低至符合歐盟RoHS指令限值設定之100 ppm以下。

雖然目前歐盟RoHS指令中將顯示器用途的使用濃度排除在適用範圍之外,中國等國家亦採用此標準,NS Materials也有供應含鎘濃度170 ppm的量子點薄片,但隨著今後適用範圍的解除,以及針對歐美業者的業務推廣,NS Materials著手開發了此項技術,並預計在明年展開量產計畫,2020年左右則達到建構月產能1萬平方公尺之生產體制的目標。


資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯
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