本文敘述一種新的金屬離子植入技術設計與開發之第二代TiO2 光觸媒,不僅可吸收紫外光,並於可見光及陽光照射下能有效之操作。金屬離子植入TiO2 光觸媒之反應活性及不同光譜量測結果顯示經植入之金屬離子高度分散於光觸媒本體內部,且改變光觸媒之電子結構特性。於常溫經室外陽光照射,植入Cr及V金屬離子之TiO2 光觸媒較未植入原始純TiO2 於分解NO為N2 、O2 及N2O 之光觸媒效率高上數倍之多。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 微波電漿製程技術與奈米粉體之應用 奈米零維粉體材料 奈米材料:金屬奈米粒子 二氧化鈦光觸媒之發展及應用 東京大學開發奈米級「分子瓶」,精密控制機能性高分子合成 熱門閱讀 國際固態電路大會 ISSCC 2025:半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(... IEDM 2024前瞻:鐵電記憶體技術發展與半導體趨勢解析 由2025 NEPCON Japan看低碳樹脂材料與印刷電路板製程技術與應用 日本綜合化學品製造商聚焦EUV,展望半導體材料領域 原子層沉積之應用與未來發展趨勢 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 Hach台灣辦事處 金屬3D列印服務平台 高柏科技股份有限公司 正越企業有限公司 喬越實業股份有限公司 廣融貿易有限公司 山衛科技股份有限公司 照敏企業股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 工研院材化所 材料世界網 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司