當半導體進入10奈米製程時，開始採用極紫外線(EUV-Extreme Ultraviolet)曝光，為了彌補專用曝光機的功能不足，轉由光阻劑下功夫，EUV用光阻劑成為下世代半導體蝕刻技術的重點項目。各電子材料廠競相開發線寬小於7奈米、感光度20mJ的光阻劑。發展趨勢由原有的化學增幅型，逐漸轉變成無機系或光增幅型等具潛力的新製程。
對應波長13.5奈米的EUV，光阻劑的解析度、感光度、LER (Line Edge Roughness)、LWR (Line Width Roughness)等需導入新技術。最初的價格約1,000萬日幣/加侖，技術發展數年後降至100萬日幣/加侖。
JSR公司認為2017年是EUV光阻劑元年，將從歐洲開始供貨。因應EUV光阻劑要求較高的感光度，使用特殊的增感劑，達成感光度20mJ、半線寬(Half Pitch) 13奈米的產品技術。2016年2月，JSR與比利時的微電子研究中心(IMEC-Interuniversity Microelectronics Centre)合併，成立生產EUV光阻劑的公司EUV RMQC (Resist Manufacturing & Qualification Center)。
東洋合成工業也開始提供支援小於10奈米製程的光阻劑樣品，未來將增產應用於5奈米製程的光酸發生劑(PAG-Photoacid Generator)。
EUV仍是一個待開發的未知領域，非化學增幅型光阻劑的研究開發也很多。東京應化工業與美國的Inpria出資150萬美金，開發含金屬的EUV光阻劑。EUVL基礎開發中心(EIDEC-EUVL Infrastructure Development Center)以開發金屬系光阻劑為主，使用光酸發生劑大幅提高過渡金屬系光阻劑的感光度，達成1.5mJ，線寬/間隔11奈米的產品技術。
光增幅型光阻劑(PSCAR)的特點是進行兩次EUV曝光，先以微量EUV照射含添加劑的光阻劑，產生酸形成增感劑，再進行二次曝光，感光度提高10倍，還需改善對比。