富士電機將進行電力耗損最多可減少50%之功率半導體模組生產

 

刊登日期:2017/7/31
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日本富士電機公司計畫將在今年內開始進行電力耗損最多可減少50%之功率半導體(Power Semiconductors)模組的生產。功率半導體模組是電源裝置內控制電流的主要部品,而富士電機所開發的是「溝槽式閘極(Trench Gate)構造碳化矽(SiC)-金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;MOSFET)」之新構造SiC半導體元件,並將其組裝成模組投入市場。

一般在元件上形成的迴路上裝設有控制晶圓表面電流的閘極,富士電機的新製品則將閘極埋入晶圓上的溝槽,縮小了迴路線寬,因此一個元件可形成更多的迴路之外,SiC與閘極相接觸部位的電阻也比既有元件低減了50%,可以讓更大的電流流過。

富士電機計畫將新開發的功率半導體模組應用於消耗電力較大的工作機械、機器人、空調等用途之電力控制變流器(Inverter),或是不斷電系統(Uninterruptible Power Supply;UPS)、鐵道用電源等用途。且在同樣的輸出功率之下,模組可予以小型化之故,富士電機也將朝電源裝置小型化需求進行市場開拓。

根據市調機構「富士經濟」的調查顯示,SiC功率半導體的全球市場在2016年為205億日圓,預估2025年將可望擴大6.9倍達到1410億日圓規模。富士電機也將利用新開發的SiC半導體模組活用於自家製品的開發上,再進一步推廣銷售至電機製造業,且計畫在2023年達到年營業額100億以上之目標。


資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯
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