可減少CPU耗電量至1/100的磁記憶體

 

刊登日期:2016/7/21
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隨著IoT、人工智能等研究的迅速發展,電子機器消耗電力增加的問題也日漸受到大眾的關切。日本東北大學深見俊輔准教授發表了一項嶄新的磁記憶體(Magnetic Memory)研究,預期未來能夠實現 CPU 的消耗電力減少至 1/100 的目標。
 
東北大學電氣通信研究所在自旋電子學(Spintronics)領域是世界首屈一指的研究單位,深見准教授即在此進行利用電子磁石自旋(Spin)特性的半導體元素開發,並成功研發出 SOT-MRAM 磁記憶體。SOT-MRAM 係將能讓自旋朝同一方向呈現的強磁體置於因自旋方向不一而無法整體顯示磁性的非磁性體上,通以電流即能生成朝上的自旋流。自旋流會將強磁體中的元素自旋方向反轉,利用此原理即可實現極低消耗電力的磁記憶體。
 
SOT-MRAM 的性能評價方面,具有與 CPU 內的靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory;SRAM)同等級的高速運作效能,若以 SOT-MRAM 置換,則可省下 SRAM 資料保存必須的電流,而達到大幅節能的目標。


資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯
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