碳化矽能源半導體最佳散熱材料

刊登日期:2016/2/1
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京瓷針對碳化矽能源半導體的基板,開發出高效率散熱材料「AtsuDo」,將厚度大幅縮減至 0.32mm 厚的氮化矽貼附在銅金屬上以達到絕緣效果,使銅金屬的厚度可從以往的 0.3mm 增加至 1~1.5mm,散熱效果可改善約 70%,且氮化矽對於彎曲具備高強度,可避免因銅金屬與絕緣材料陶瓷之間熱膨脹率不同的限制,不僅可應用於碳化矽半導體,也有助於能源半導體的集積化並促成能源模組的小型化。

資料來源: 日刊工業新聞 / 材料世界網編譯
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