京瓷針對碳化矽能源半導體的基板，開發出高效率散熱材料「AtsuDo」，將厚度大幅縮減至 0.32mm 厚的氮化矽貼附在銅金屬上以達到絕緣效果，使銅金屬的厚度可從以往的 0.3mm 增加至 1~1.5mm，散熱效果可改善約 70%，且氮化矽對於彎曲具備高強度，可避免因銅金屬與絕緣材料陶瓷之間熱膨脹率不同的限制，不僅可應用於碳化矽半導體，也有助於能源半導體的集積化並促成能源模組的小型化。 資料來源: 日刊工業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 Elephantech開發無加壓燒結接合材料，提升功率半導體散熱與可靠性 先進半導體鍍膜材料之技術發展與未來展望 高耐溫無鹵基板材料技術簡介 高耐溫無鹵基板材料技術簡介 高導熱性與絕緣性俱佳的射出成型材料 熱門閱讀 循環經濟下的綠色氫能：有機廢棄物產氫技術、材料應用與永續評估 氨裂解產氫技術發展現況與趨勢 氨作為氫載體的零排放能源應用研究進展 高科技產業純水製程廢液資源化策略與技術開發 廢寶特瓶高值化突破，One-pot製程直接合成高性能MOF材料 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司