京瓷針對碳化矽能源半導體的基板，開發出高效率散熱材料「AtsuDo」，將厚度大幅縮減至 0.32mm 厚的氮化矽貼附在銅金屬上以達到絕緣效果，使銅金屬的厚度可從以往的 0.3mm 增加至 1~1.5mm，散熱效果可改善約 70%，且氮化矽對於彎曲具備高強度，可避免因銅金屬與絕緣材料陶瓷之間熱膨脹率不同的限制，不僅可應用於碳化矽半導體，也有助於能源半導體的集積化並促成能源模組的小型化。 資料來源: 日刊工業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 高耐溫無鹵基板材料技術簡介 高耐溫無鹵基板材料技術簡介 高導熱性與絕緣性俱佳的射出成型材料 CAE在高階伺服器熱傳分析的應用與散熱設計－硬碟存取裝置的熱傳特性... LED封裝及散熱基板材料之現況與發展 熱門閱讀 從 Battery Japan 2024看鋰電池與儲能產業發展 加氫站加氫協定之研究與未來發展趨勢 半導體產業廢硫酸純化再利用 由ISSCC 2024看半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討 歐盟新電池法生效推動循環經濟與永續發展 相關廠商 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司