ITO奈米粒子的新低溫合成法

 

刊登日期:2015/7/29
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日本稀少金屬材料研究所成功開發出透明導電膜用的氧化銦錫(ITO)奈米粒子新低溫合成法,並達到量產化。改良自傳統的溶膠凝膠法,可在100℃以下的低溫,成功大量合成出10nm的立方晶粒子。成膜時的薄膜電阻低,容易使用。新合成法不需要耐壓容器,在成本面與量產上均具有優勢。

傳統的合成法需要將溶劑溫度提升至250~300℃左右,量產更需要昂貴的耐壓容器(Autoclave);而新合成法則成功利用氧化銦錫在100℃以下的水中進行奈米粒子合成。在薄膜電阻測定方面,膜厚未滿100nm的室溫乾燥膜,電阻值僅有數MΩ。量產預計以1公斤~1噸為單位,可望藉由量產規模來降低成本。


資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯
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