日本稀少金屬材料研究所成功開發出透明導電膜用的氧化銦錫(ITO)奈米粒子新低溫合成法，並達到量產化。改良自傳統的溶膠凝膠法，可在100℃以下的低溫，成功大量合成出10nm的立方晶粒子。成膜時的薄膜電阻低，容易使用。新合成法不需要耐壓容器，在成本面與量產上均具有優勢。
傳統的合成法需要將溶劑溫度提升至250～300℃左右，量產更需要昂貴的耐壓容器(Autoclave)；而新合成法則成功利用氧化銦錫在100℃以下的水中進行奈米粒子合成。在薄膜電阻測定方面，膜厚未滿100nm的室溫乾燥膜，電阻值僅有數MΩ。量產預計以1公斤～1噸為單位，可望藉由量產規模來降低成本。