由日本東芝、Nikon 等國內 11間企業合資成立的 EUVL基礎開發中心，成功開發出能以極短的 13.5nm的波長對紫外光（EUV）產生高感度反應的金屬製光阻劑材料（Resist）。不同於傳統的有機化合物光阻劑，容易吸收 EUV。曝光時間短，能比過去快10倍的速度形成電路。
目前的技術一直難以讓電路線寬達到10nm以下，現在終於出現曙光。光線的波長愈短便愈能進行微細的電路加工。目前最先進的半導體電路線寬為 14～15nm，以波長 193nm的 ArF（氟氬化氫）雷射進行量產。欲有效率地製造 10nm以下的半導體，必須先讓 EUV實用化，而關鍵就在於光阻材料。現在的 ArF雷射曝光機一小時能夠加工 200片的晶圓，過去使用有機化合物光阻劑的 EUV曝光機只能加工 50片。利用新開發的光阻劑，能使曝光工程的生產性大幅提升。
若能實現 7～10nm 的半導體，便能讓處理器的處理能力提高 2～4倍，能夠以智慧型手機接收解析度比 FHD高 4倍的 4K影片，不僅記憶體的記錄能力大幅增加，一張 SD卡的儲存容量亦能達到數 TB（兆位元組）。