本研究從模組封裝設計，建立 IGBT 功率模組封裝製程技術及可靠度驗證。透過 3D Extractor 全波電性模擬分析，突破封裝元件路徑上之( R/L/C )寄生效應及大電流啟動的電性失效問題；高強度低阻抗互連端子設計，解決大電流產生高熱無法散熱問題。封裝製程之高電壓大電流高接合強度打線、高熱傳固晶及超低孔隙率 DBC 基板接合技術與高介電矽膠材填充封裝技術，達到低孔隙高可靠度之 IGBT 功率模組封裝。以 IEC 60747-9 規範建立 IGBT 電性參數量測方法，依據 AEC-Q101 規範建立符合車規的 IGBT 模組可靠度驗證技術。