切斷電源也能保存資料的半導體記憶新材料

刊登日期:2014/11/12
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TDK開發出採用磁性材料的新一代半導體記憶材料「MRAM」,其最大特徵是屬於不揮發性記憶材料,即使切斷電源也能保存資料,且讀寫速度與高速記憶材料 DRAM、SRAM並駕齊驅,有助於延長攜帶型機器的電池壽命,若應用在電腦、智慧型手機、平板電腦時,啟動時間僅需 DRAM、SRAM的十分之一,可縮減待機時的耗電量。
 
此次試作品容量為 8MB,資料寫入速度為400奈米秒,比 NAND型 Flash Memory快 20倍,TDK的研究開發者表示,原理上應該能快100倍,預計 3年後達到實用化。

資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯
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