TDK開發出採用磁性材料的新一代半導體記憶材料「MRAM」，其最大特徵是屬於不揮發性記憶材料，即使切斷電源也能保存資料，且讀寫速度與高速記憶材料 DRAM、SRAM並駕齊驅，有助於延長攜帶型機器的電池壽命，若應用在電腦、智慧型手機、平板電腦時，啟動時間僅需 DRAM、SRAM的十分之一，可縮減待機時的耗電量。 此次試作品容量為 8MB，資料寫入速度為400奈米秒，比 NAND型 Flash Memory快 20倍，TDK的研究開發者表示，原理上應該能快100倍，預計 3年後達到實用化。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 台灣半導體設計業面臨創新時代的機會與挑戰 2017年全球半導體產業動態與CES大展應用趨勢 延續與創新摩爾定律的半導體製造技術發展 電流量僅百分之一的全新半導體元件 熱消磁溫度提升100℃的鈦酸鋇材料 熱門閱讀 NEPCON JAPAN 2019 日本東京特別報導系列一 NEPCON JAPAN 2019 日本東京特別報導系列三 NEPCON JAPAN 2019 日本東京特別報導系列二 從Finetech Japan 2018看OLED之進展 全球電動車市場發展動向與熱門議題 相關廠商 金屬3D列印服務平台 名揚翻譯有限公司 銀品科技股份有限公司 友德國際股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 喬越實業有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司