TDK開發出採用磁性材料的新一代半導體記憶材料「MRAM」，其最大特徵是屬於不揮發性記憶材料，即使切斷電源也能保存資料，且讀寫速度與高速記憶材料 DRAM、SRAM並駕齊驅，有助於延長攜帶型機器的電池壽命，若應用在電腦、智慧型手機、平板電腦時，啟動時間僅需 DRAM、SRAM的十分之一，可縮減待機時的耗電量。 此次試作品容量為 8MB，資料寫入速度為400奈米秒，比 NAND型 Flash Memory快 20倍，TDK的研究開發者表示，原理上應該能快100倍，預計 3年後達到實用化。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 IEDM 2024前瞻：鐵電記憶體技術發展與半導體趨勢解析 由ISSCC 2024看半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討 從ISSCC 2023分析記憶體技術與發展趨勢 可實現於以資料為中心運算架構的HfO2-基鐵電記憶體(下) 可實現於以資料為中心運算架構的HfO2-基鐵電記憶體(上) 熱門閱讀 玻璃基板上TGV的金屬化製程 玻璃成孔技術發展現況 半導體用抗反射層材料 玻璃通孔(TGV)之電鍍銅金屬化處理及其微結構改質 半導體用光酸材料技術 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司