TDK開發出採用磁性材料的新一代半導體記憶材料「MRAM」，其最大特徵是屬於不揮發性記憶材料，即使切斷電源也能保存資料，且讀寫速度與高速記憶材料 DRAM、SRAM並駕齊驅，有助於延長攜帶型機器的電池壽命，若應用在電腦、智慧型手機、平板電腦時，啟動時間僅需 DRAM、SRAM的十分之一，可縮減待機時的耗電量。 此次試作品容量為 8MB，資料寫入速度為400奈米秒，比 NAND型 Flash Memory快 20倍，TDK的研究開發者表示，原理上應該能快100倍，預計 3年後達到實用化。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 將HZO強介電體薄化至4nm，以1V以下的動作電壓即可重複書寫100兆次 因應5G、自動駕駛等需求，日鐵Chemical & Material開發微細球狀的二氧化矽、氧化鋁等商品 2030年車載半導體全球市場可望達586億美元規模 以一階段完全精密合成石墨烯奈米帶之新技術 台灣半導體設計業面臨創新時代的機會與挑戰 熱門閱讀 「Touch Taiwan 2022」現場報導系列一 「Touch Taiwan 2022」現場報導系列二 磷酸鋰鐵(LiFePO4)4680電池， 昇陽已經準備好了 車用顯示面板發展趨勢 邁向全固態鋰電池：固態電解質之傳輸動力學 相關廠商 金屬3D列印服務平台 2022 Touch Taiwan 系列展 捷南企業股份有限公司 名揚翻譯有限公司 友德國際股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司