TDK開發出採用磁性材料的新一代半導體記憶材料「MRAM」，其最大特徵是屬於不揮發性記憶材料，即使切斷電源也能保存資料，且讀寫速度與高速記憶材料 DRAM、SRAM並駕齊驅，有助於延長攜帶型機器的電池壽命，若應用在電腦、智慧型手機、平板電腦時，啟動時間僅需 DRAM、SRAM的十分之一，可縮減待機時的耗電量。 此次試作品容量為 8MB，資料寫入速度為400奈米秒，比 NAND型 Flash Memory快 20倍，TDK的研究開發者表示，原理上應該能快100倍，預計 3年後達到實用化。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 台灣半導體設計業面臨創新時代的機會與挑戰 2017年全球半導體產業動態與CES大展應用趨勢 延續與創新摩爾定律的半導體製造技術發展 電流量僅百分之一的全新半導體元件 熱消磁溫度提升100℃的鈦酸鋇材料 熱門閱讀 由應用市場看Micro LED發展趨勢 氫能趨勢分析與儲能應用新思維 固態電池最新發展 商用感測器發展現況及未來趨勢(上) 鋰電池材料研發近況 相關廠商 金屬3D列印服務平台 名揚翻譯有限公司 華錦光電科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司 友德國際股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 喬越實業有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司