TDK開發出採用磁性材料的新一代半導體記憶材料「MRAM」，其最大特徵是屬於不揮發性記憶材料，即使切斷電源也能保存資料，且讀寫速度與高速記憶材料 DRAM、SRAM並駕齊驅，有助於延長攜帶型機器的電池壽命，若應用在電腦、智慧型手機、平板電腦時，啟動時間僅需 DRAM、SRAM的十分之一，可縮減待機時的耗電量。 此次試作品容量為 8MB，資料寫入速度為400奈米秒，比 NAND型 Flash Memory快 20倍，TDK的研究開發者表示，原理上應該能快100倍，預計 3年後達到實用化。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 將HZO強介電體薄化至4nm，以1V以下的動作電壓即可重複書寫100兆次 因應5G、自動駕駛等需求，日鐵Chemical & Material開發微細球狀的二氧化矽、氧化鋁等商品 2030年車載半導體全球市場可望達586億美元規模 以一階段完全精密合成石墨烯奈米帶之新技術 台灣半導體設計業面臨創新時代的機會與挑戰 熱門閱讀 「Touch Taiwan 2021」現場報導系列一 鋰離子電池技術趨勢發展方向 「Touch Taiwan 2021」現場報導系列二 軟性電子產品及透明PI材料發展趨勢 電池研究超前部署—全固態鈉二氧化碳電池 相關廠商 台灣大金先端化學股份有限公司 昂筠國際股份有限公司 名揚翻譯有限公司 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 友德國際股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司