世界首例成功合成TaON單結晶薄膜

刊登日期:2014/2/5
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東京大學成功研發出世界首例TaON單結晶薄膜,TaON與氧化鈦同樣具備銳鈦礦型結晶構造,應用於透明導電膜與光觸媒,目前也在進行作為不含重金屬的顏料與光觸媒的應用研究,但現今合成的銳鈦礦型TaON當中,添加劑含有多量的無法測定電氣性質的微細粉末,東京大學研究團隊為解決試料形狀與添加劑可能產生的影響,在格子定數一致的單結晶基板上採用晶膜成長法(Epitaxial Growth)合成了厚度約40nm的銳鈦礦型TaON單結晶薄膜,此法僅會損失結晶中少量的氧與氮,可調整電子濃度並展現出良好的電氣傳導性,擁有與銳鈦礦型氧化鈦同等級的電子移動度,可應用於發光元件與太陽電池等的透明電極,或產生氫的光觸媒與半導體光電極等。 

資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯
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