東邦大學與理化學研究所、分子科學研究所合作，開發出全球唯一成功將載體（carrier）注入到多層構造的分子性傳導體---α-（BEDT-TTF）2I3之技術，實現了在低溫條件下的典型量子輸送現象。若使用在電腦上，演算速度將躍進至目前的100倍。相關研究並刊載於美國科學雜誌「Physical Review B」。
該研發團隊之前在有機導體α-（BEDT-TTF）2I3施以壓力，發現全球第一個「3次元單結晶」的零隙能傳導物質。該物質具備特殊的能源構造，讓彷彿如光線般零質量的電子成為電氣傳導的主角。且最大特徵是可抑制電阻原因---後向散射（Backscatter），且易動度（mobility）非常高，約106cm2/V.s，注入載體後的技術成功後，可望開發零能源散逸的高速驅動電子元件。
研發人員只是在PEN樹脂基板上固定住厚度約100nm的薄片單晶試料，利用接觸帶電法就成功將空穴（Electron hole）載體注入進去。低溫下空穴具備104cm2/V.s的高易動度，且成功觀察到典型的量子霍爾效應（Quantum Hall effect；QHE）。這項成果是使用了分子性零係能傳導體的電子元件在開發上的第一步，可望拓展至新的分子性電子元件之研發。
1.日經產業新聞
2.http://www.ims.ac.jp/topics/2013/130826.html