目前III-V族藍光LED市場正處於血流成河的成本競賽，當用於LED的 Al2O3 基板尺寸由2″提升到6″或8″時，因大尺寸 Al2O3 基板尚未成熟，其基板成本將大幅攀升，而8″ Si基板成本僅為 Al2O3 基板的1/5，使得全球各大磊晶廠開始將目標轉移至大尺寸Si基板；另一方面，用於1.200 V以下功率元件的材料又以III-V族半導體表現較優，各大LED磊晶廠也開始將其產品慢慢轉移至功率元件的開發，其與LED的共通點為III-V族半導體GaN的成長，因此如何將III-V族半導體GaN磊晶於大尺寸Si基板為目前的關鍵技術，本文將針對III-V族半導體GaN於Si基板上的磊晶技術所面臨的問題與克服方法做概括的說明。