GaN on Si 磊晶技術應用於發光二極體與功率元件現況

刊登日期:2013/9/5
  • 字級

目前III-V族藍光LED市場正處於血流成河的成本競賽,當用於LED的 Al2O3 基板尺寸由2″提升到6″或8″時,因大尺寸 Al2O3 基板尚未成熟,其基板成本將大幅攀升,而8″ Si基板成本僅為 Al2O3 基板的1/5,使得全球各大磊晶廠開始將目標轉移至大尺寸Si基板;另一方面,用於1.200 V以下功率元件的材料又以III-V族半導體表現較優,各大LED磊晶廠也開始將其產品慢慢轉移至功率元件的開發,其與LED的共通點為III-V族半導體GaN的成長,因此如何將III-V族半導體GaN磊晶於大尺寸Si基板為目前的關鍵技術,本文將針對III-V族半導體GaN於Si基板上的磊晶技術所面臨的問題與克服方法做概括的說明。


分享
為此篇文章評分

相關廠商