東京大學工學研究所改良赤鐵礦(αFe2O3)，將鐵(Fe)中10%替換成銠(Rh)，使能隙(Band Gap)由2.2Ev縮小至1.5eV，可吸收光源由以往的600nm提高到700-950nm，並確認在此近紅外線領域也可產生光電流，抑制結晶成長方向以延長光載波壽命，提高了可視光域(400-600nm)下的光電變換率，實驗中採用加入銠元素的赤鐵礦薄膜，成功使光電化學元件在700-950nm近紅外線領域產生光電流，可應用於提高太陽電池發光效率。 資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 磷烯奈米帶可望促進次世代太陽電池高性能化 活用無機系添加劑之單層奈米碳管分散液 量子點粒子材料合成與應用介紹 World Smart Energy Week 2016東京現場直擊系列報導一 高光電轉換效率的太陽電池新材料與加工技術 熱門閱讀 功率半導體元件與散熱技術 寬能隙功率半導體封裝之結構設計與互連技術挑戰 功率半導體之高導熱陶瓷基板材料技術與應用發展 廢氫氟酸轉製冰晶石有價資源化技術 AI世代之次世代功率半導體產業發展 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司