下世代車規高功率模組封裝技術發展現況

刊登日期:2013/7/5
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碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)寬能隙功率半導體元件已在某些工業應用逐漸受到關注,如混合動力電動汽車(Hybrid Electric Vehicle)、互聯網數據中心(Internet Data Center)及航空航太應用(Aero-space Application)。由於這些下世代功率模組的操作溫度可能高達250˚C,金屬接點的熱阻和散熱變得極度重要。固液交互擴散接合(SLID)及銀膏燒結(Ag Paste Sintering)這種新興且具潛力的接點和固晶技術,將能符合高溫應用的需求。本文將介紹工研院開發的固液交互擴散接合與銀膏燒結技術的研究現況。此外,傳統無鉛銲料接點最大的問題在於接點孔洞的形成,其不僅會造成極大的熱阻,同時也會對長期可靠度造成負面的衝擊。真空迴銲技術是目前公認能夠實現無孔洞接合的最佳方法。為了提升現有的無鉛迴銲技術,工研院結合業界廠商合作開發真空迴銲爐,最後呈現使用國內廠商開發的真空迴銲爐所組裝的模組與成果。


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