可高品質生成石墨烯之新技術

刊登日期:2012/9/4
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日本東北大學、德國Erlangen大學、高輝度光科學研究中心、弘前大學等機關團體日前發表開發出在碳化矽(SiC)基板上精密地生成石墨烯之技術。
 
一般是以磊晶成長法(Epitaxial Growth)在觸媒金屬或碳化矽基板表面製造石墨烯。然而使用觸媒金屬會有金屬不易移除、需轉寫至絕緣性基板的缺點;而使用碳化矽又因表面為原子結構而存有石墨烯層數不一的問題,因此目前欠缺可大面積、高品質製造石墨烯的方法。
 
研究團隊在氬氣環境中將碳化矽基板加熱至1600℃並以微機電系統(MEMS)技術在表面進行細微加工而使其呈平坦狀態,然後成功地在此表面以磊晶成長法製作出單層石墨烯。
 
石墨烯之電子遷移率為矽晶體100倍以上且化學性質安定,可取代矽晶體成為備受注目的新世代電子元件材料或是應用於鋰離子二次電池(LiB)等負極材料方面。 

資料來源: 化學工業日報/材料世界網編譯
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