■ 技術簡介
▶ 化合物半導體材料具有寬能隙、高功率密度、高崩潰電壓、低功率損耗與較佳的散熱
等特性。其應用包括光電感測元件，電動車用功率模組以及高頻通訊用射頻元件或模
組等
▶ 石墨表面鍍製 SiC 膜層技術，可以使 CVD SiC 套件耐電漿侵蝕、耐高熱衝擊與高熱傳
導率，並降低顆粒污染的問題，因此CVD SiC 在化合物半導體元件製程中被廣泛使用
■ CVD SiC 關鍵技術
■ 技術規格
▶ 鍍膜面積達 20 公分直徑
▶ 膜層厚度達 100μm 以上
▶ 膜層結構以 3C-SiC 為主
▶ SiC 膜層硬度 >15 GPa
■ CVD SiC 應用載具
▶ SiC 膜層具備高硬度、耐熱性、耐氧化性、耐腐蝕性與高導熱能力
工研院材化所 JA00 先進複合材料設計及應用研究室