東芝D&S開發出高頻逆變器用SiC功率模組之新技術，可搭載於資料庫的電源系統等。經確認得知，因高頻運作使逆變器的總電力耗損成功降低30%。新技術係將內建SBD的SiC MOSFET與搭載結構進行了最佳化的模組設計進行結合，實現了高速開關(Switching)時的低耗損與高品質。具體來說，其結合棋盤狀的SBD配置與深P型能障(Barrier)範圍的元件構造，在基礎上加以改良，以提升了設計的自由度。
經此可調整多種設計參數，如通道或漂移層、接面場效電晶體(JFET)領域的設計，或是閘極(Gate)驅動條件等，在導通與整流(Diode)運作兩方面皆實現了穩定的電流運作。ON電阻在室溫條件下(25℃)為1.8 mΩ⋅cm²、150℃時則為2.7 mΩ⋅cm²，相較過往減低約50%，每面積單位的SBD通電能力則提升了約40%。
搭載了新開發的SBD內建SiC MOSFET 1,200V耐壓SiC功率模組，與過往相比晶片的總面積減少約36%，在抑制模組的導通損失的同時，仍保有整流性能品質，每單位面積的熱阻較過往改善25%。經模擬試驗，確認逆變器的總電力耗損，在60 kHZ的高頻運作的條件下，相較於過往減少了約30%的電力損失。