日本富士軟片(FUJIFILM)開發出在化學增幅型光阻(CAR)中導入金屬之新型金屬含有型光阻(Metal Containing Resist; MCR)，期藉由部分金屬成分提升極紫外光(EUV)的吸收效率與蝕刻耐性。此外，富士軟片也推出適用於旋轉塗佈(Spin Coat)製程的奈米壓印微影(NIL)用光阻，並以薄膜型聚醯亞胺(PI)材料切入先進封裝領域，鎖定中介層(Interposer)、重佈線層(RDL)以及增層薄膜(BUF)等應用需求。
目前富士軟片的半導體材料產品涵蓋光阻、高純度化學品、化學機械研磨(CMP)研磨液以及PI材料等，並持續擴大材料佈局。在最先進的EUV光阻方面，富士軟片主要投入負型光阻領域，透過將光酸產生劑(PAG)與光分解型淬滅劑(Photo Decomposable Quencher; PDQ)結合的PAG Connected PDQ(PCP)技術，俾使材料在膜內均勻分散，提升圖形邊界銳利度與微影精度，並搭配其高市占率的負型光阻顯影液，以擴大整體市場競爭力。
新開發的正型MCR兼具CAR與金屬氧化物光阻(MOR)的優點。相較MOR通常須導入專用產線，MCR可沿用既有CAR製程設備，有利半導體廠降低導入成本並加速量產。富士軟片表示，MCR不同於市場上其他廠商佈局的MOR或低分子光阻技術，具有獨特的差異化優勢。
除了先進EUV製程之外，富士軟片也同步佈局可降低成本的NIL材料。NIL以模具壓印方式直接形成電路圖案，具有流程簡化以及無需高價曝光機設備的優勢。過去噴墨(IJ)型光阻受限於生產效率，如今新型旋轉塗佈光阻可改善塗佈速度、膜厚均勻性及模具填充性。富士軟片亦供應NIL用附著促進劑，藉由IJ型與旋轉塗佈型雙產品線以滿足不同使用需求。
在先進封裝後段材料方面，PI材料已廣泛應用於RDL。除了既有液態材料之外，富士軟片近年新增了薄膜型PI產品，鎖定大型面板級封裝(Panel Level Packaging)之RDL中介層市場。相較液態PI在軟烘烤後易受配線高低差影響而產生凹陷，薄膜型PI具有優異的填孔與埋覆能力，可維持表面平坦度。
此外，富士軟片也看好PI薄膜延伸至BUF市場。隨著先進封裝線寬線距持續微縮，一般BUF材料面臨細線化困難與龜裂風險。PI具有感光特性，可形成精細的圖案，且材料具延展性，較不易產生裂紋。由於薄膜PI須連同保護膜進行曝光，保護膜性能將影響圖形解析度，而富士軟片可自行設計保護膜，形成整合式技術優勢。