由於矽鍺(SiGe) 材料與矽鍺電雙極電晶體(SiGe HBTs) 技術已經成熟且進入生產階段，因此在無線通訊及光纖通訊、高速寬頻網路應用上，矽鍺半導體積體電路已經是市場上一種重要的解決方案。在無線高速寬頻網路應用方面，SiGe HBT 能在高頻操作下，提供優異微波特性，其效能不僅超越矽(Si)元件技術，更挑戰著目前執牛耳地位的III-V族化合物半導體元件。在光纖通訊方面，SiGe已成功佔有OC-192 (10Gbps)之市場，更進而展現使用在OC-768(40Gbps)市場之可行性，此外SiGe IC可整合不同功能電路於同一晶片上形成系統晶片(System-on-a-chip, SoC) 。在SoC的趨勢下，整合將是無線寬頻網路未來主要的發展方向。因此就製造成本及系統整合性而言，矽鍺元件說是高速寬頻網路半導體元件之必然趨勢一點也不為過。 Download檔案下載 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 矽鍺異質接面雙極性電晶體之製程技術發展 矽鍺電晶體 我國IC 產業發展概況與策略（一） 我國IC 產業發展概況與策略（三） 我國IC 產業發展概況與策略（二） 熱門閱讀 從2026日本奈米展看材料發展 功率半導體元件與散熱技術 民生用廢塑膠容器智慧辨識與分選技術之發展與實場應用 高純鎵金屬循環回收技術—從二次資源提取純化到產業應用 寬能隙功率半導體封裝之結構設計與互連技術挑戰 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司