日本高知工科大學與住友重機械工業共同開發了一項以較低溫度在金屬基板上製作出高品質氧化膜之技術。新技術是以 200℃，比過去 400℃還要低的溫度進行氧化膜製作。由於可在塑膠製基板製鍍金屬氧化膜，將可望應用於可撓式電子機器。 研究團隊改良了用於金屬表面處理之離子產生裝置。首先是將氧氣以高溫使其變成原子與電子分離之電漿狀態，而氧原子為帶正電的離子。把氧氣注入之後，氧分子從原子分離，電子依附後，形成負氧離子。讓金屬基板表面成為帶正電狀態後，與負氧離子緊密結合，便形成了堅固的氧化膜。 研究團隊將離子產生裝置回路變更為以小刻度切換電源的形式，電源開啟時形成電漿，關閉時電子會與氧原子結合。在實驗中，每 5~10秒進行反覆電源開關之後，即在銅或鋅的基板上製作出數百 nm的氧化膜，且膜的表面平整無缺陷。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 化合物半導體製程用CVD SiC鍍膜技術 以二氧化鈦為基礎的薄膜(下) 耐久性提高40倍以上的觸控面板用抗反射薄膜 不需燒結，塗佈後以光進行奈米多孔質陶瓷成膜 僅需塗覆即可阻氣 熱門閱讀 國際固態電路大會 ISSCC 2025：半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(... IEDM 2024前瞻：鐵電記憶體技術發展與半導體趨勢解析 海洋碳捕獲崛起，更有效率且可望轉換出新經濟價值 由2025 NEPCON Japan看低碳樹脂材料與印刷電路板製程技術與應用 日本綜合化學品製造商聚焦EUV，展望半導體材料領域 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 喬越實業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司