日本Novel Crystal Technology發表以垂直式布里茲曼長晶法(Vertical Bridgman Method)成功地製作出6吋β型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，將可望有助於促進β-Ga2O3基板的大直徑化與高品質化。
利用垂直式布里茲曼長晶法的β-Ga2O3單晶生成技術係由信州大學提出並推動相關開發，目前也已成功地製作出2吋與4吋的單晶。Novel Crystal Technology繼承了信州大學的技術，並持續投入大直徑化的開發。此次即藉由垂直式布里茲曼長晶法6吋結晶生長裝置，成功製作出全球第一個垂直式布里茲曼長晶法6吋單晶。
此外，負責結晶評估與分析的日本產業技術總合研究所(AIST)利用X光繞射拓樸學將垂直式布里茲曼長晶法與既有方法所取得的基板進行比較後發現，在垂直式布里茲曼長晶法生成的結晶中，可以觀察到既有方法產生的高密度線狀缺陷獲得了顯著抑制，進而證明垂直式布里茲曼長晶法生成的結晶具有優異的品質。