日本東芝開發了一款可大幅提升功率密度的「樹脂絕緣型碳化矽(SiC)功率半導體模組」。該模組採用了東芝自有的小面積晶片分散配置設計技術，以及運用人工智慧(AI)的設計最佳化技術，成功試作出樹脂絕緣型SiC功率模組。實驗結果顯示，相較於既有陶瓷絕緣型SiC功率模組，其熱阻降低了21%。此外，經過試算可知，若將新開發的模組應用於一般逆變器中，冷卻系統的尺寸可減少達61%，可望有助於電力轉換器的小型化，進而降低設置空間與成本。
新開發的模組將搭載的晶片面積縮小，並將更多晶片分散配置於整個模組中，藉此擴大散熱面積並降低熱阻。然而，當晶片數量增加後，設計晶片配置時所需考慮的參數也隨之增加，促使包含電氣特性、熱特性在內的整體最佳化設計變得困難。為此，東芝導入了AI最佳化演算法，藉此實現複雜條件下的最適化設計。
與既有陶瓷絕緣型SiC功率模組相比，試作的樹脂絕緣型SiC功率模組在熱阻方面降低了21%、寄生電阻降低了21%、切換損失則減少了19%，展現出超越既有陶瓷絕緣型模組的性能。今後東芝計畫將此技術推廣至不同額定電流與耐壓需求的功率模組，並持續擴大技術的研究開發，期達到早期實用化之目標。