日立製作所開發出適用於電動車的新型功率半導體「TED-MOS」。以SiC作為主要材料，透過構造改良使能源浪費減少50%。由於電池可因此毫無浪費地有效使用，電動汽車的行駛距離可望提升10%以上。
該新型半導體係於電動汽車的電壓轉換器之中，用途是將儲存於電池的電力，從直流轉換成交流後輸送至馬達，或是阻斷電流。即使在1.2kV的高電壓下，也能正常運作。跟構造相同的既有產品相比，性能上有大幅度的提升。轉換損耗是左右性能的一個指標，代表著電流通過時有多少損失發生。尤其是大電流通過的時候，功率半導體會產生100℃以上的熱度，造成電流耗損。與目前主流的矽與SiC相比，電流提升至400A時，可將損失控制近一半。
然而，SiC依然有課題待解。一般的MOSFET以高電壓送出高電流，電場會集中在元件中的某一部分，這正是電流不通的原因。各廠也急著想突破這個瓶頸，但量產技術尚未確立。而這次日立所開發TED-MOS則克服了某幾項產品缺點。其中之一，便是在元件上新增了緩和層以防止電場集中。如此一來，電流可以有效、無浪費地通過，並減輕了元件的負擔。另一個改善則是降低了電流通過時產生的電阻。一般來說，構造上電流是走在「表層」，導致電阻值變高。日立的研究人員，讓電流通過層排列成長條狀，使得電流可以順暢通過。現階段的成效上，電場集中的強度減少了約40%、電阻值減少了約25%。