富士通集團旗下的FICT公司（FUJITSU INTERCONNECT TECHNOLOGIES），開發出薄膜電容的內建技術，可應用於半導體的封裝電路板，且已導入富士通今年4月開發的高性能伺服器的CPU上。該內建技術可有效減少導致CPU出錯的電源雜訊，並提昇最大時脈頻率。
富士通於4月開發出全球最高速伺服器「SPARC 12M」，具時脈頻率最大4.25GHz與高速CPU之規格。矽晶片與封裝電路板之間約有3萬個端子連接，封裝電路板與伺服器印刷電路板之間約有3500個端子，比起晶片型，多數的端子可連接到電容上，亦是優點之一，可以說是超大規模的半導體。該內建技術可將此CPU最大時脈頻率提升10%。
薄膜電容的厚度約35μm，靜電容量約每平方公分最大1μF就不小了。該伺服器CPU上採用了2片薄膜電容，合計19μF以上。電路板厚度僅增加70μm，效能同等於20片厚度0.5mm的晶片型電容。薄膜電容內建於封裝電路板上最大的優勢，是縮小矽晶片與電容之間的距離。連接彼此的線材越長，就越容易產生電磁感應。相較於原本晶片型的成效10GHz，大幅抑制了高頻電源雜訊。
而內建技術的實現，則是與Sony Semiconductor Solutions 公司的合作成果。將易碎的薄膜電容與基材貼合，以蝕刻手法塑型。同年5月，研發人員成功將每單位面積的靜電容量提升2倍，並開始提供內建薄膜電容於無基材薄型電路板的樣品。
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