日本東北大學大野英男教授與京都大學化學研究所小野輝男教授等人組成之研究團隊開發出電流量僅為以往1/100的全新半導體元件－磁電阻式隨機存取記憶(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)，被視為取代動態隨機存取記憶體(DRAM)的有力材料。
MRAM必須在運作時持續供給電流以安定地維持記憶儲存，故存在著耗電量大的問題。新元件的線寬為20奈米，可大幅降低積體電路的待機電力。此外新元件使用的材料為磁性物體加上鈷、鐵、氟等混合而成之金屬，其中磁性物體是由氧化鎂絕緣體包挾而成的構造以維持記憶機能。
今後半導體積體電路線寬預估將縮小至32~16奈米左右，所以也將元件寬度縮小。研究團隊以5~10年後達到實用化水準為目標。
資料來源：日經產業新聞/材料世界網編譯