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「產業廢水/生質物零廢與能資源化技術發展」及「功率半導體材料技術發展與應用」技術專題

工業材料雜誌 476 期

出版日期: 2026/8/5

當期雜誌簡介

產業廢水/生質物零廢與能資源化技術發展
在全球淨零排放(Net Zero Emissions)及循環經濟(Circular Economy)浪潮下,產業廢水生質物的永續發展已從傳統污染防治邁向資源循環與能源自主的新布局。本技術專題以「產業廢水/生質物零廢與能資源化技術發展」為主軸,聚焦探討高有機廢(污)水、生質副產物及化學廢液之循環利用技術,其涵蓋資源回收、能源化、高值材料製備、智慧能源管理及低碳製程等前瞻技術,期望透過跨領域整合,建立兼具環境保護、能源自主及資源循環之永續產業模式。另從高有機廢(污)水與生質物之能源化、資源化及智慧化管理技術下,它不僅可降低廢棄物處理成本與溫室氣體排放,更可提升能源自主率、資源利用效率及產業競爭力,為我國製造業邁向「零廢棄、低碳化、高值化、智慧化」之循環經濟發展奠定重要基礎。同時,結合國內示範案例的分享,促進產業知悉廢(污)水能源化及資源循環之最新發展趨勢,進一步協助產業建構兼具低碳、智慧、高值化及循環經濟特色之綠色製造模式,期望建立符合淨零排放及循環經濟理念之低碳處理模式,提供產官學研推動綠色轉型之借鏡。
 
功率半導體材料技術發展與應用
隨著人工智慧(AI)、高效能運算(HPC)、電動車、再生能源及智慧電網等新興應用快速發展,全球對高效率電力轉換與能源管理的需求持續攀升。在AI時代,產業已逐漸由單純的運算能力提升,轉向能源效率與功率密度的優化,使「每瓦效能(Performance per Watt)」成為衡量系統競爭力的重要指標。作為電能轉換與控制的核心元件,功率半導體已成為支撐AI伺服器、資料中心、電動車、儲能系統及智慧能源設備運作的關鍵技術基礎。為突破傳統矽(Si)功率元件在耐壓、高溫操作及切換效率上的限制,具備高崩潰電場、高頻高速切換及低功率損耗特性的寬能隙半導體(Wide Bandgap Semiconductor),包括碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),正快速成為次世代功率電子技術發展主軸。其中,SiC適用於高電壓與高功率應用,如電動車驅動系統、車載充電器及再生能源變流器;GaN則憑藉高頻化與小型化優勢,廣泛應用於AI伺服器電源、高頻DC/DC轉換器及消費性電子產品。本期「功率半導體材料技術發展與應用」技術專題,分別從磊晶材料技術、封裝效能、系統整合等面向,解析功率半導體產業如何從單一元件性能的提升,解決效能、散熱與可靠度的瓶頸,進而滿足AI與能源轉型所帶來的廣大需求。
 
主題專欄與其他
隨著資料傳輸速率進入Tbps等級,電互連面臨RC delay與功耗瓶頸,使得光互連逐漸成為必要解決方案。矽光子技術利用既有CMOS製程優勢,提供大規模整合的可行路徑,但其本身亦存在無法有效發光與電光效應不足等限制。「全光運算晶片的關鍵半導體材料」以目前的光子晶片量產技術,解析哪些關鍵材料可能會影響全光運算晶片技術發展,以及帶領讀者思考光學晶片產業將帶來的材料課題與市場潛力。隨著先進封裝(CoWoS、FOPLP)、ABF載板(HPC、B5G產品)溼製程精度提升,溼製程槽液中的微粒子若附著於線路上,將造成結瘤或短路等不良品。雖然國外大廠開發純水系統監測用的微粒子計數器(Liquid-borne Particle Counter),但顯少用於線上溼製程槽液使用。「PCB溼製程槽液微粒子線上監測系統」將提供內建彈性化大範圍粒徑感測範圍(1-20um)、槽液成份色度補償,以及微粒子圖譜辨識技術,提供正確的水中微粒子計數與粒徑分布。
 
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