日立製作所日前開發出可低價製作出電子標籤(IC Tag)等使用之射頻識別(radio frequency identification，RFID)晶片技術。該公司使用可大幅降低半導體製作時溫度的氧化物半導體薄膜電晶體(TFT)，成功地將生產成本縮減為原先的十分之一以下，預料可導入於不需電池的小型電子紙等攜帶型終端產品應用領域上。
該公司所開發的晶片使用的是東京工業大學細野秀雄教授等人發現的透明氧化物半導體IGZO(In, Ga, Zn, O)。此晶片是由將接受之電波轉換為直流電壓的電源迴路、處理訊號的邏輯迴路、將處理後的資料傳送至外部的傳送迴路三者共同組成的。研究團隊在直徑三吋的玻璃基板上製作尺寸長8mm、寬10mm、總數25個之試作品；研究團隊取出其中一個試作品移至7公分遠的地方，然後向晶片傳送週波數13.56MHz、輸出功率40mW之電波，晶片內部會產生20μW以上之電力，射頻識別晶片便會運作、將訊號回傳。
由於目前射頻識別所使用之薄膜電晶體利用的是非晶矽、必須在攝氏400度高溫下製作，不過因為IGZO不需要加熱，所以在室溫下即可進行生產。假使進一步改良IGZO特性，便能夠使用週波數較此次實驗高的超高頻(Ultra High Frequency，UHF)，從五公尺以上的距離驅動射頻識別。雖然製作絕緣膜時還是需要300度以上的高溫，但今後也計畫一併改良，嘗試進一步降低溫度的可能性。